講演情報
[22p-P04-13]n-GaNの貴ガスプラズマ照射誘起欠陥の評価
〇桑山 優太1、藤綱 真斗1、田中 和希1、大島 真弓1、中村 成志1 (1.都立大SD)
キーワード：
プラズマ,窒化ガリウム,深い準位過渡分光法
我々はこれまで，GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の起源および導入メカニズムの解明を目的に，貴ガスを用いたプラズマ照射の実験を行ってきた．その結果，欠陥導入レートや電気的特性にガス種依存性があることがわかっている．今回，導入された欠陥に関して，バイアスアニールの影響を受けにくい温度領域にてDLTS測定をはじめとした測定手法により評価し，明らかになったことを報告する．