[22p-P04-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[22p-P04-14] Characterization of plasma-induced defects in GaN by the reverse bias annealing (2)

〇MAYU OSHIMA¹, MANATO FUJITSUNA¹, KAZUKI TANAKA¹, YUTA KUWAYAMA¹, SEIJI NAKAMURA¹ (1.TokyoMetropolitanUniv.)

Keywords:

reverse bias annealing,gallium nitride,plasma-induced defects

前回，塩素系ガスを用いてGaNにプラズマ照射誘起欠陥を導入し，逆バイアスアニール（RBA）による欠陥挙動を評価した結果について報告した．今回，GaN中のプラズマ照射誘起欠陥について，陥の移動・変化を引き起こす熱，印加電圧等のパラメータの影響を検証し，バイアスアニール挙動を詳細に評価したので，報告する．