講演情報
[22p-P04-14]逆バイアスアニール法によるGaNのプラズマ照射誘起欠陥の挙動評価 (2)
〇大島 真弓1、藤綱 真斗1、田中 和希1、桑山 優太1、中村 成志1 (1.都立大SD)
キーワード：
逆バイアスアニール,窒化ガリウム,プラズマ照射誘起欠陥
前回，塩素系ガスを用いてGaNにプラズマ照射誘起欠陥を導入し，逆バイアスアニール（RBA）による欠陥挙動を評価した結果について報告した．今回，GaN中のプラズマ照射誘起欠陥について，陥の移動・変化を引き起こす熱，印加電圧等のパラメータの影響を検証し，バイアスアニール挙動を詳細に評価したので，報告する．