Presentation Information
[22p-P04-7]Evaluation of gap states near conduction band in the vicinity of MOS interface of Mg- and N-ion-co-implanted GaN after ultra-high-pressure annealing
〇Yuki Hatakeyama1, Tetsu Kachi2, Masamichi Akazawa1 (1.RCIQE, Hokkaido Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ.)
Keywords:
GaN,UHPA
GaNは高効率な縦型パワーMOSFETへの応用が期待されているが、実現に必要なイオン注入技術が確立されていない。高い活性化率を得るにあたりMgイオン注入後の超高圧アニールが有効であり、窒素空孔関連の欠陥の低減にはNの共注入が有効であることが報告されている。本報告では、Mg+N共注入後UHPAを行ったn-GaN上にMOS構造を作製し、伝導帯付近の界面近傍禁制帯内準位をC–V測定によって評価した。