講演情報
[22p-P04-7]MgとNのイオン共注入後超高圧アニールを行ったGaNのMOS界面近傍伝導帯付近禁制帯準位の評価
〇畠山 優希1、加地 徹2、赤澤 正道1 (1.北大量集センター、2.名大未来材料・システム研)
キーワード：
窒化ガリウム,超高圧アニール
GaNは高効率な縦型パワーMOSFETへの応用が期待されているが、実現に必要なイオン注入技術が確立されていない。高い活性化率を得るにあたりMgイオン注入後の超高圧アニールが有効であり、窒素空孔関連の欠陥の低減にはNの共注入が有効であることが報告されている。本報告では、Mg+N共注入後UHPAを行ったn-GaN上にMOS構造を作製し、伝導帯付近の界面近傍禁制帯内準位をC–V測定によって評価した。