[22p-P04-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[22p-P04-8] Assessment of effects of 850℃ annealing on surface and bulk defects of Mg-ion implanted GaN using MOS structure (2)

〇Genta Shindo¹, Yuki Hatakeyama¹, Masamichi Akazawa¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ.)

Keywords:

GaN

ドーズ量1.5×10¹²cm^-2でMgイオン注入したGaNに対して、850℃アニールを施し、MOS構造を用いて表面とバルク欠陥の影響を評価した。アニールを行っていない試料は、イオン注入により発生した欠陥の影響による飽和容量が見られた。一方、アニールを行った試料は周波数分散が激減し、飽和容量が見られなくなったものの、異常な急峻な傾斜が見られる結果となった。この実測値と理想曲線とを比較すると、アクセプター型欠陥準位の影響であると考えられる。