講演情報
[22p-P04-8]Mgイオン打ち込みしたGaNに対する850℃アニールの表面およびバルク欠陥への影響についてのMOS構造を用いた評価(2)
〇新藤 源大1、畠山 優希1、赤澤 正道1 (1.北大量集センター)
キーワード：
窒化ガリウム
ドーズ量1.5×1012cm-2でMgイオン注入したGaNに対して、850℃アニールを施し、MOS構造を用いて表面とバルク欠陥の影響を評価した。アニールを行っていない試料は、イオン注入により発生した欠陥の影響による飽和容量が見られた。一方、アニールを行った試料は周波数分散が激減し、飽和容量が見られなくなったものの、異常な急峻な傾斜が見られる結果となった。この実測値と理想曲線とを比較すると、アクセプター型欠陥準位の影響であると考えられる。