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[22p-P04-9]Impact of interface formation process on properties of photoelectrochemically etched p-GaN MOS interfaces
〇Yining Jiao1, Takahide Nukariya1, Umi Takatsu1, Taketomo Sato1, Masamichi Akazawa1 (1.RCIQE, Hokkaido Univ.)
Keywords:
P-GaN MOS structure
ワイドギャップ半導体であるGaNは、高い絶縁破壊電界は勿論のこと、高い電子移動度、高い飽和電子速度を有するので、高効率パワーデバイス向けの材料として有望である。特にMOS界面の特性が良好であることから、MOSFETのチャネル材料として期待される。高効率の反転型n-チャネルGaN MOSFET実現のためには、絶縁体とp型GaN (p-GaN)との界面の制御が必須となる。我々は、p-GaN MOS界面近傍において、表面近傍に局在するミッドギャップ付近のドナー型欠陥準位が光電気化学 (PEC) エッチングにより除去できることを示した。本報告では、PECエッチングを行ったp-GaN MOS界面特性のプロセス依存性について調べた結果を報告する。