講演情報
[22p-P04-9]光電気化学エッチングを施したp-GaN MOS界面の特性に対する界面形成プロセスの影響
〇焦 一寧1、忽滑谷 崇秀1、高津 海1、佐藤 威友1、赤澤 正道1 (1.北大量集センター)
キーワード：
p型窒化ガリウムMOS構造
ワイドギャップ半導体であるGaNは、高い絶縁破壊電界は勿論のこと、高い電子移動度、高い飽和電子速度を有するので、高効率パワーデバイス向けの材料として有望である。特にMOS界面の特性が良好であることから、MOSFETのチャネル材料として期待される。高効率の反転型n-チャネルGaN MOSFET実現のためには、絶縁体とp型GaN (p-GaN)との界面の制御が必須となる。我々は、p-GaN MOS界面近傍において、表面近傍に局在するミッドギャップ付近のドナー型欠陥準位が光電気化学 (PEC) エッチングにより除去できることを示した。本報告では、PECエッチングを行ったp-GaN MOS界面特性のプロセス依存性について調べた結果を報告する。