Presentation Information
[22p-P05-1]Simultaneous growth of 4H-SiC crystals with low BPD densities on multiple SiC wafers
〇Hiroshi Fukui1, Yuki Urata1, Yohei Okada1, Risa Miyakaze1, Shinya Matsukawa1, Kiyoshi Matsushima1, Jun Yoshikawa1 (1.NGK)
Keywords:
SiC,crystal growth,dislocation reduction
SiC パワー半導体の本格普及において、基底面転位 (BPD) 密度の低減は重要課題である。そこで我々は、多数枚の SiC ウエハー上へ同時に結晶成長させることにより原理的に低コストで BPD 密度を低減可能なプロセスを開発している。本研究では 4 インチの 4H-SiC 種結晶上への 9 枚同時結晶成長を行い、種結晶と結晶成長層界面付近で BPD 密度が大幅に低減可能であることが分かった。本発表では、BPD 密度の面内分布についても報告する。