講演情報
[22p-P05-1]低 BPD 密度を有する 4H-SiC 結晶の多数枚ウエハー上への同時成長
〇福井 宏史1、浦田 勇輝1、岡田 陽平1、宮風 里紗1、松川 真也1、松島 潔1、吉川 潤1 (1.日本ガイシ(株))
キーワード：
SiC,結晶成長,転位低減
SiC パワー半導体の本格普及において、基底面転位 (BPD) 密度の低減は重要課題である。そこで我々は、多数枚の SiC ウエハー上へ同時に結晶成長させることにより原理的に低コストで BPD 密度を低減可能なプロセスを開発している。本研究では 4 インチの 4H-SiC 種結晶上への 9 枚同時結晶成長を行い、種結晶と結晶成長層界面付近で BPD 密度が大幅に低減可能であることが分かった。本発表では、BPD 密度の面内分布についても報告する。