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10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)

[23a-12J-6]Direct observation of electron capture processes in amphoteric defect states achieved by charge pumping in individual defects at MOS interface (11) -Recombination process (Ⅳ)-

〇Toshiaki Tsuchiya¹, Masahiro Hori¹, Yukinori Ono¹ (1.Shizuoka Univ.)

Keywords:

MOS interface,single defect,charge pumping

本講演では両性準位を有するMOS単一界面欠陥において，Type6, 7, 8, 9の単一欠陥を用いてAcceptorlike準位とDonorlike準位の両準位に捕獲された伝導帯電子の価電子帯ホールとの連続的な再結合素過程（つまり，最初にAcceptorlike準位の捕獲電子が再結合し，続いてDonorlike準位の捕獲電子が再結合する）の直接観測から得た各再結合時定数について考察する．

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