講演情報
[23a-12J-6]MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (11) -捕獲電子の再結合過程(Ⅳ)-
〇土屋 敏章1、堀 匡寛1、小野 行徳1 (1.静大電研)
キーワード：
MOS界面,単一欠陥,チャージポンピング
本講演では両性準位を有するMOS単一界面欠陥において，Type6, 7, 8, 9の単一欠陥を用いてAcceptorlike準位とDonorlike準位の両準位に捕獲された伝導帯電子の価電子帯ホールとの連続的な再結合素過程（つまり，最初にAcceptorlike準位の捕獲電子が再結合し，続いてDonorlike準位の捕獲電子が再結合する）の直接観測から得た各再結合時定数について考察する．