[23a-12J-1~12] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)

[23a-12J-7] Requirement of high-temperature quantum dot operation in isoelectronic-trap-assisted tunnel FETs

〇Shota Iizuka¹, Hidehiro Asai¹, Kimihiko Kato¹, Hiroshi Oka¹, Junichi Hattori¹, Koichi Fukuda¹, Takahiro Mori¹ (1.AIST)

Keywords:

Quantum dot,Isoelectronic trap

高温動作可能なTFET型量子ビットは、TFETに導入された等電子トラップ不純物により形成された量子ドットを基盤とする。本素子の不純物位置に依存する動作温度のばらつきを検討し、S/D間の不純物位置による動作温度変動やS/Dに極度に近い場合の素子不動作を明らかにした。帯電エネルギーの決定要因は不純物にある電子の局在長で、これが短い不純物が高温動作には望ましい。本研究は高温SET動作の向上や特性均一化に寄与するものである。