講演情報
[23a-12J-7]等電子トラップ援用トンネル FET 型量子ドットの高温動作条件
〇飯塚 将太1、浅井 栄大1、加藤 公彦1、岡 博史1、服部 淳一1、福田 浩一1、森 貴洋1 (1.産総研)
キーワード：
量子ドット,等電子トラップ
高温動作可能なTFET型量子ビットは、TFETに導入された等電子トラップ不純物により形成された量子ドットを基盤とする。本素子の不純物位置に依存する動作温度のばらつきを検討し、S/D間の不純物位置による動作温度変動やS/Dに極度に近い場合の素子不動作を明らかにした。帯電エネルギーの決定要因は不純物にある電子の局在長で、これが短い不純物が高温動作には望ましい。本研究は高温SET動作の向上や特性均一化に寄与するものである。