[23a-12K-1~8] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)

[23a-12K-7] Evaluation of Electrical Resistance of Ultrathick Low-Stress LPCVD Poly-Si Film for MEMS Devices

〇Gen Shikida¹, Hideharu Itatani¹, Shuntaro Machida¹, Yukio Suzuki², Shuji Tanaka², Manabu Izumi¹ (1.KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION, 2.TOHOKU Univ.)

Keywords:

MEMS,LPCVD poly-Si,Low-Stress

MEMS慣性センサーに用いられるSOIウェーハに代わり、近年はエピタキシャル成長による厚膜 poly-Si（Epi-poly-Si）をpoly-Si電極とSiO₂犠牲層の上に成膜するプロセスが採用されている。Epi-poly-Siの成膜は、枚葉処理のためスループットに課題がある。一方、量産性に優れるバッチ処理も可能なLPCVDによるPoly-Si膜中に、結晶成長阻害層を挿入したILIS構造が提案され、低ストレス勾配と低膜ストレスが実現されている。ILIS構造の阻害層による膜厚方向の抵抗率を懸念し評価を行った。