[23a-21C-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)

[23a-21C-1] Variation of chemical states and CV property of m-GaN caused by surface treatments

〇Masatomo Sumiya¹, Yasutaka Tsuda², Masato Sumita³, Yoshitaka Nakano⁴, Akitaka Yoshigoe² (1.NIMS, 2.JAEA, 3.RIKEN AIP, 4.Chubu Univ.)

Keywords:

m-GaN,surface chemical state,CV property

m面GaN薄膜表面をSP8 BL23SUのXPS装置内でArイオンスパッタ（プラズマダメージ）および酸化ガス照射（酸化層形成）後にm面GaN表面状態をXPSで観測して、それぞれの表面化学状態を保つようin-situでAuショットキー接合を形成した後に大気に取り出してCV特性を行った。