[23a-21C-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:00 〜 9:15

[23a-21C-1] m面GaN薄膜の表面処理による化学結合状態とCV特性変化

〇角谷 正友¹、津田 康孝²、隅田 真人³、中野 由崇⁴、吉越 章隆² (1.物材機構、2.原子力機構、3.理研AIP、4.中部大)

キーワード：

m面GaN,表面化学結合状態,CV特性

m面GaN薄膜表面をSP8 BL23SUのXPS装置内でArイオンスパッタ（プラズマダメージ）および酸化ガス照射（酸化層形成）後にm面GaN表面状態をXPSで観測して、それぞれの表面化学状態を保つようin-situでAuショットキー接合を形成した後に大気に取り出してCV特性を行った。