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11:00 AM - 11:15 AM JST(2:00 AM - 2:15 AM UTC)

[23a-21C-8]Electrical property evaluation of carbon-doped OVPE-GaN

〇Shigeyoshi Usami¹, Ritsuko Higashiyama¹, Masayuki Imanishi¹, Junichi Takino², Tomoaki Sumi², Yoshio Okayama², Masashi Yoshimura³, Masahiko Hata⁴, Msashi Isemura⁵, Yusuke Mori¹ (1.Osaka Univ., 2.Panasonic Holdings Corp., 3.ILE, Osaka Univ., 4.Itochu Plastics Inc., 5.Sosho-Ohshin Inc.)

Keywords:

OVPE method,Carbon dope,gallium nitride

OVPEにおいてCH4は余分な水蒸気を除去し多結晶生成を抑制する効果があるが，Cがドーピングされるため電気抵抗を増大させる懸念があった．そこで本研究では炭素ドープしたOVPE-GaNの電気特性について評価を行ったところ，OVPE特有の3D成長によって空間的にC濃度の高い領域と低い領域に分離して成長し，全体としての抵抗率は低く抑えられることがわかった．

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