講演情報
[23a-21C-8]炭素ドープしたOVPE-GaNの電気特性評価
〇宇佐美 茂佳1、東山 律子1、今西 正幸1、滝野 淳一2、隅 智亮2、岡山 芳央2、吉村 政志3、秦 雅彦4、伊勢村 雅士5、森 勇介1 (1.阪大院工、2.パナソニックホールディングス(株)、3.阪大レーザー研、4.伊藤忠プラスチックス(株)、5.(株)創晶應心)
キーワード：
OVPE法,炭素ドーピング,窒化ガリウム
OVPEにおいてCH4は余分な水蒸気を除去し多結晶生成を抑制する効果があるが，Cがドーピングされるため電気抵抗を増大させる懸念があった．そこで本研究では炭素ドープしたOVPE-GaNの電気特性について評価を行ったところ，OVPE特有の3D成長によって空間的にC濃度の高い領域と低い領域に分離して成長し，全体としての抵抗率は低く抑えられることがわかった．