[23a-52A-1~9] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[23a-52A-4] Optimization of impurity concentrations in fluorescent SiC doped with boron and nitrogen

〇Takuma Ban¹, Shota Akiyoshi¹, Taisei Mizuno¹, Naoki Takahashi¹, Eri Akazawa², Atsushi Suzuki², Weifang Lu³, Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo Univ., 2.E&E Evolution Ltd., 3.Xiamen Univ.)

Keywords:

fluorescent SiC

蛍光SiCはB、Nを添加した4H-/6H-SiCで、540nm/570nmをピークとするブロードな蛍光スペクトルとなる。蛍光SiCはB濃度N_AとN濃度N_Dの差、N_D-N_Aを低減することで発光効率が向上する。本研究では圧力制御でドーパントソースからのN₂分圧を減らし、N_D-N_Aの低減を試みた。その結果、成長圧力上昇によりN_D-N_Aが低減された。