Presentation Information
[23a-P06-18]Metal–Insulator transition of (Pr1–ySmy)1–xCaxCoO3 films fabricated by KOH flux method
〇Ituski Yamamoto1, Shuhei Funaki1, Yasuji Yamada1, Masahiro Tahashi2, Yutaka Yoshida3, Yusuke Ichino4 (1.Shimane Univ., 2.Chubu Univ., 3.Nagoya Univ., 4.Aichi Inst.)
Keywords:
Metal-Insulator Transition,KOH
金属-絶縁体(M-I)転移材料(Pr1–yREy)1–xCaxCoO3は応用のため膜形成が求められているが、PLD法で作製された薄膜は基板からの応力の影響によりM-I転移が消失した。我々は厚膜化による応力低減を期待して、厚膜作製の簡便なKOHフラックス法による成膜を試みたが、組成ずれによりM-I転移は見られなかった。REにあたるSmの原料比を変えて成膜を行ったところ、原料Sm比の多い条件の膜でM-I転移が見られた。