講演情報
[23a-P06-18]KOHフラックス法成膜による(Pr1–ySmy)1–xCaxCoO3の金属–絶縁体転移
〇山本 樹輝1、舩木 修平1、山田 容士1、田橋 正浩2、吉田 隆3、一野 祐亮4 (1.島根大自然、2.中部大、3.名古屋大、4.愛工大)
キーワード：
金属絶縁体転移,KOH
金属-絶縁体(M-I)転移材料(Pr1–yREy)1–xCaxCoO3は応用のため膜形成が求められているが、PLD法で作製された薄膜は基板からの応力の影響によりM-I転移が消失した。我々は厚膜化による応力低減を期待して、厚膜作製の簡便なKOHフラックス法による成膜を試みたが、組成ずれによりM-I転移は見られなかった。REにあたるSmの原料比を変えて成膜を行ったところ、原料Sm比の多い条件の膜でM-I転移が見られた。