Presentation Information
[23a-P07-3]Growth of single-crystalline ZnO layer by UHV sputter epitaxy method (II)
〇Haruto Ikeda1, Ryota Misawa1, Koki Kamo1, Taichi Kojima1, Keisuke Yoshida1, Hiroyuki Shinoda1, Nobuki Mutsukura1 (1.School of Engineering, Tokyo Denki Univ.)
Keywords:
semiconductor,ZnO,sputter epitaxy method
我々は，超高真空スパッタエピタキシー法にて基板上にZnO層のエピタキシャル成長を行っている．前回，O2/Arガス混合比を用いて，O2ガス混合比0及び2％において成長したZnO層について検討を行った．その結果，O2ガス混合比0％では表面に逆ピラミッド状の構造が見られたが，O2ガス混合比を2％にすることで平坦性の向上が見られた.そこで今回は，O2ガス混合比を更に増加させてZnO層の成長を行った．