講演情報
[23a-P07-3]UHVスパッタエピタキシー法によるZnO単結晶層の成長(Ⅱ)
〇池田 陽登1、三澤 亮太1、加茂 幸樹1、小島 太一1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)
キーワード：
半導体,酸化亜鉛,スパッタエピタキシー法
我々は，超高真空スパッタエピタキシー法にて基板上にZnO層のエピタキシャル成長を行っている．前回，O2/Arガス混合比を用いて，O2ガス混合比0及び2％において成長したZnO層について検討を行った．その結果，O2ガス混合比0％では表面に逆ピラミッド状の構造が見られたが，O2ガス混合比を2％にすることで平坦性の向上が見られた.そこで今回は，O2ガス混合比を更に増加させてZnO層の成長を行った．