Presentation Information
[23a-P07-4]Growth of hexagonal and cubic GaN layers by UHV sputter epitaxy method
〇Syuto Mine1, Riku Nagayama1, Seita Koga1, Yasuki Sawada1, Kosuke Teshiba1, Haruki Nakagawa1, Keisuke Yoshida1, Hiroyuki Shinoda1, Nobuki Mutsukura1 (1.School of Engineering, Tokyo Denki University)
Keywords:
Semiconductor,Sputtering method,Nitride semiconductor
我々は，超高真空（UHV）スパッタエピタキシー法を用いてGaN層の成長を行っている．スパッタリング法は，非熱平衡状態における成長であるため，準安定相の立方晶構造を持つc-GaNの成長も期待できる．これまで，反応ガス（N2/Ar）の混合比等を変化させて成長を行ってきた．今回は，得られるGaN層の結晶構造において，成長時の基板温度が与える影響について検討を行ったので報告する．