講演情報
[23a-P07-4]UHVスパッタエピタキシー法による六方晶及び立方晶GaN層の成長
〇三根 秀斗1、永山 陸1、古賀 誠大1、澤田 泰希1、手柴 光佑1、中川 治紀1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)
キーワード：
半導体,スパッタリング法,窒化物半導体
我々は，超高真空（UHV）スパッタエピタキシー法を用いてGaN層の成長を行っている．スパッタリング法は，非熱平衡状態における成長であるため，準安定相の立方晶構造を持つc-GaNの成長も期待できる．これまで，反応ガス（N2/Ar）の混合比等を変化させて成長を行ってきた．今回は，得られるGaN層の結晶構造において，成長時の基板温度が与える影響について検討を行ったので報告する．