[23a-P07-1~19] 6.4 Thin films and New materials

[23a-P07-7] Evaluation of Electrical Conduction Characteristics of Field Effect Transistors Using MXene Thin Films

〇Yasuyuki Sainoo¹, Md Nasiruddin^1,2, Tsuyoshi Takaoka¹, Saidur Rahman³, Tadahiro Komeda¹ (1.IRAM, Tohoku Univ., 2.Chem, Tohoku Univ., 3.Sunway University,)

Keywords:

2D material,MXene

SiO₂基板上に転写したTi₃C₂T_x MXene薄片を導電チャネルとして使用した電界効果トランジスタ（FET）を作製し、その電気伝導特性を測定・評価した結果を報告する。作成したFETは、V_Gの増加とともにI_DSが増加することを示し、Ti₃C₂T_x MXene薄片では電子が主要な電荷キャリアであることがわかった。リーク電流はごくわずか（10^-11 A）であるため、電界効果は本質的なものでと推察できる。