講演情報
[23a-P07-7]MXene薄片を用いたFETの電気伝導特性評価
〇道祖尾 恭之1、Md Nasiruddin1,2、高岡 毅1、Saidur Rahman3、米田 忠弘1 (1.東北大学・多元研、2.東北大理化、3.Sunway University,)
キーワード：
2D材料,マキシン
SiO2基板上に転写したTi3C2Tx MXene薄片を導電チャネルとして使用した電界効果トランジスタ（FET）を作製し、その電気伝導特性を測定・評価した結果を報告する。作成したFETは、VGの増加とともにIDSが増加することを示し、Ti3C2Tx MXene薄片では電子が主要な電荷キャリアであることがわかった。リーク電流はごくわずか（10-11 A）であるため、電界効果は本質的なものでと推察できる。