[23p-12E-1~13] 6.2 Carbon-based thin films

4:45 PM - 5:00 PM JST(7:45 AM - 8:00 AM UTC)

[23p-12E-13] Field-effect transistor fabricated on a CVD-grown diamond with a h-BN gate insulator

〇Yosuke Sasama¹, Takuya Iwasaki¹, Masataka Imura¹, Kenji Watanabe¹, Takashi Taniguchi¹, Takahide Yamaguchi^1,2 (1.NIMS, 2.Univ. of Tsukuba)

Keywords:

diamond,mobility,transistor

我々はこれまで，表面研磨されたダイヤモンド基板上に直接，h-BNゲート絶縁体を用いたFETを作製してきた．そのような研磨された表面に存在するラフネスが、キャリア散乱の原因となることが懸念されていた．本研究ではCVD法でダイヤモンドを成膜し、ソース・ドレイン電極方向のラフネスの小さいFETを作製した．これにより，キャリアの散乱を抑制することに成功した．