講演情報
[23p-12E-13]CVD成膜したダイヤモンド上に作製したh-BNゲート絶縁体を用いた電界効果トランジスタ
〇笹間 陽介1、岩﨑 拓哉1、井村 将隆1、渡邊 賢司1、谷口 尚1、山口 尚秀1,2 (1.NIMS、2.筑波大数理)
キーワード：
ダイヤモンド,移動度,トランジスタ
我々はこれまで，表面研磨されたダイヤモンド基板上に直接，h-BNゲート絶縁体を用いたFETを作製してきた．そのような研磨された表面に存在するラフネスが、キャリア散乱の原因となることが懸念されていた．本研究ではCVD法でダイヤモンドを成膜し、ソース・ドレイン電極方向のラフネスの小さいFETを作製した．これにより，キャリアの散乱を抑制することに成功した．