[23p-12E-1~13] 6.2 Carbon-based thin films

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[23p-12E-2] Effect of plasma parameters on diamond growth using microwave plasma CVD

〇Kaishu Nitta¹, Takehiro Shimaoka¹, Hideaki Yamada¹ (1.AIST)

Keywords:

diamond,plasma CVD

ダイヤモンドの結晶成長にはマイクロ波プラズマ化学気相成長(CVD)法が広く採用されるが、プラズマ中の電子や電子励起種が結晶成長に及ぼす影響には未解明な点も多い。そこで、成長雰囲気の積極制御、分光診断によるガス温度・電子密度推定、電子励起反応を考慮した気相化学反応計算を通じて、各種プラズマパラメータと成長速度との相関を評価し、成長速度向上を原料ガス温度上昇のみに依存する従来方式から脱却する可能性を検討した。