[23p-12E-1~13] 6.2 Carbon-based thin films

3:45 PM - 4:00 PM JST(6:45 AM - 7:00 AM UTC)

[23p-12E-9] Contact Resistance as a Function of Impurity Concentration for N-type Diamond

〇Tsubasa Matsumoto¹, Mikiya Mura¹, Yuki Matsushima¹, Taichi Miyazaki¹, Kan Hayashi¹, Kimiyoshi Ichikawa¹, Toshiharu Makino², Takao Inokuma¹, Satoshi Yamasaki¹, Norio Tokuda¹ (1.Kanazawa Univ., 2.AIST)

Keywords:

diamond,contact resistance,doping

ワイドギャップ半導体においては，接触抵抗の低減が重要課題の一つに位置づけられる。接触抵抗を低減する最も有効な手法が，高濃度ドーピング技術である。本研究では，n型ダイヤモンドの接触抵抗低減に向けて，高濃度窒素ドーピング技術の開発を進めている。本発表では，高濃度窒素ドープ膜の詳細，接触抵抗の不純物濃度依存について議論する。