講演情報
[23p-12E-9]n型ダイヤモンド半導体における不純物濃度と接触抵抗の関係
〇松本 翼1、村 光希哉1、松島 優希1、宮崎 泰一1、林 寛1、市川 公善1、牧野 俊晴2、猪熊 孝夫1、山崎 聡1、徳田 規夫1 (1.金沢大、2.産総研)
キーワード：
ダイヤモンド,接触抵抗,ドーピング
ワイドギャップ半導体においては，接触抵抗の低減が重要課題の一つに位置づけられる。接触抵抗を低減する最も有効な手法が，高濃度ドーピング技術である。本研究では，n型ダイヤモンドの接触抵抗低減に向けて，高濃度窒素ドーピング技術の開発を進めている。本発表では，高濃度窒素ドープ膜の詳細，接触抵抗の不純物濃度依存について議論する。