[23p-12H-1~11] 6.1 Ferroelectric thin films

4:15 PM - 4:30 PM JST(7:15 AM - 7:30 AM UTC)

[23p-12H-11] Fabrication and Electrical Characterization of Ferroelectric Gate FETs for Physical Reservoir Computing

〇Yu Ukezeki¹, Hiroto Yamada¹, Norifumi Fujimura¹, Tokuji Yokomatu², Kensuke Kanda², Kazusuke Maenaka², Takeshi Yoshimura¹ (1.Osaka Metro. Univ., 2.Univ. of Hyogo)

Keywords:

reservoir computing,FeFET,ferroelectric

近年、物理リザバーコンピューティング(RC)という高速かつ低消費電力な機械学習法が研究されている。物理リザバーの1つである強誘電体ゲート電界効果トランジスタ(FeFET)は、高い学習性能が実証されている。FeFETは、不揮発性メモリとして研究されてきたが、物理RCとして用いる場合にはパターン認識等に必要な間のみ記憶していることが望ましい。本研究では有機強誘電体を用いてMFMIS構造のFeFETを作製し、分極状態と記憶保持時間の関係を調べた。