講演情報
[23p-12H-11]物理リザバーコンピューティング応用に向けた強誘電体ゲートFETの作製と電気特性評価
〇請関 優1、山田 洋人1、藤村 紀文1、横松 得滋2、神田 健介2、前中 一介2、吉村 武1 (1.阪公大工、2.兵庫県大工)
キーワード：
リザバーコンピューティング,FeFET,強誘電体
近年、物理リザバーコンピューティング(RC)という高速かつ低消費電力な機械学習法が研究されている。物理リザバーの1つである強誘電体ゲート電界効果トランジスタ(FeFET)は、高い学習性能が実証されている。FeFETは、不揮発性メモリとして研究されてきたが、物理RCとして用いる場合にはパターン認識等に必要な間のみ記憶していることが望ましい。本研究では有機強誘電体を用いてMFMIS構造のFeFETを作製し、分極状態と記憶保持時間の関係を調べた。