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[23p-12J-3][The 15th Silicon Technology Division Paper Award Speech] 1T1C FeRAM memory array based on ferroelectric HZO
〇Jun Okuno1, Takafumi Kunihiro1, Kenta Konishi1, Monica Materano2, Tarek Ali3, Kati Kuehnel3, Konrad Seidel3, Thomas Mikolajick2, Uwe Schroeder2, Masanori Tsukamoto1, Taku Umebayashi1 (1.Sony Semiconductor Solutions, 2.NaMLab gGmbH, 3.Fraunhofer IPMS)
Keywords:
ferroelectric,ferroelectric random access memory,hafnium
近年強誘電体HfO2材料を用いた強誘電体メモリ（FeRAM）の実用化が期待されている。我々はHfZrO2膜を有する1T1C型FeRAMをCMOSプロセスを用いて集積化し、世界で初めてメモリアレイ動作を実証した。その結果、HfO2系強誘電体膜は均一性が高く低電圧駆動で高信頼性が確認された。これにより、既存メモリよりも低消費電力かつ微細化可能な不揮発性メモリの実用化が期待できる。本講演では、既発表のHfO2系1T1C FeRAMの開発状況について講演する。