講演情報
[23p-12J-3][第15回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演] ハフニア系強誘電体材料を用いた1T1C型FeRAM
〇奥野 潤1、国広 恭史1、小西 健太1、マテラノ モニカ2、アリ タレック3、キューネル ケイティ3、ザイダル コンラッド3、ミコラジック トーマス2、シュローダー ウベ2、塚本 雅則1、梅林 拓1 (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ、2.ナムラボ、3.フラウンホーファー)
キーワード：
強誘電体,FeRAM,HfZrO
近年強誘電体HfO2材料を用いた強誘電体メモリ（FeRAM）の実用化が期待されている。我々はHfZrO2膜を有する1T1C型FeRAMをCMOSプロセスを用いて集積化し、世界で初めてメモリアレイ動作を実証した。その結果、HfO2系強誘電体膜は均一性が高く低電圧駆動で高信頼性が確認された。これにより、既存メモリよりも低消費電力かつ微細化可能な不揮発性メモリの実用化が期待できる。本講演では、既発表のHfO2系1T1C FeRAMの開発状況について講演する。