[23p-12J-1~10] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

4:15 PM - 4:30 PM JST(7:15 AM - 7:30 AM UTC)

[23p-12J-9] Area-selective LPCVD-Cu on L/S by using CuI-precursor

〇(B)Yu Miyamoto¹, Gento Toyoda¹, Satoshi Yamauchi¹ (1.Ibaraki Univ.)

Keywords:

Metallization process,Area-selective Cu-deposition,Chemical vapor deposition

先に我々は、ヨウ化銅(Ⅰ)(CuI)を真空中で300 ⁰C程度に加熱して昇華させて基板表面に供給することで400 ⁰C以下で金属上へのみ選択的にCuを形成できることを見出し、Ru(0001)ブランケット基板を用いた金属上でのCuの成長機構をついて報告した。今回は、微細加工Cu-Line/SiO₂-Space (L/S)上でのCuの選択堆積形態と添加ガスの効果について報告する。