講演情報
[23p-12J-9]CuIを原料とするLPCVD法によるL/S上へのCu選択成長
〇(B)宮本 裕1、豊田 絃人1、山内 智1 (1.茨城大工)
キーワード：
配線形成技術,銅の選択形成,化学気相堆積法
先に我々は、ヨウ化銅(Ⅰ)(CuI)を真空中で300 ⁰C程度に加熱して昇華させて基板表面に供給することで400 ⁰C以下で金属上へのみ選択的にCuを形成できることを見出し、Ru(0001)ブランケット基板を用いた金属上でのCuの成長機構をついて報告した。今回は、微細加工Cu-Line/SiO2-Space (L/S)上でのCuの選択堆積形態と添加ガスの効果について報告する。