[23p-12K-1~15] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

4:15 PM - 4:30 PM JST(7:15 AM - 7:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[23p-12K-10] Grain boundary characterization of polycrystalline Ge thin films by surface potential measurement

〇Shintaro Maeda¹, Takashi Suemasu¹, Kaoru Toko¹ (1.Univ. of Tsukuba)

Keywords:

Germanium,Thin film,Solid phase crystallization

Geは狭バンドギャップで優れたキャリア輸送特性を持つことから、太陽電池やトランジスタへの応用が期待されている。我々は固相成長法にて、多結晶Ge薄膜の絶縁体上合成に取り組み、キャリア移動度を向上させてきた。そのために粒界密度の低減やポテンシャル障壁の低減を試みたものの、粒界そのものへの理解は及んでいない。本研究では表面電位測定を用い、多結晶Ge薄膜の粒界特性を調査した。