講演情報
[23p-12K-10]表面電位測定による多結晶Ge薄膜の粒界特性評価
〇前田 真太郎1、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大学)
キーワード：
ゲルマニウム,薄膜,固相成長
Geは狭バンドギャップで優れたキャリア輸送特性を持つことから、太陽電池やトランジスタへの応用が期待されている。我々は固相成長法にて、多結晶Ge薄膜の絶縁体上合成に取り組み、キャリア移動度を向上させてきた。そのために粒界密度の低減やポテンシャル障壁の低減を試みたものの、粒界そのものへの理解は及んでいない。本研究では表面電位測定を用い、多結晶Ge薄膜の粒界特性を調査した。