Presentation Information

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)

[23p-12K-2]Direct nano-lithography in Ultrathin Silicon Nanosheets Utilizing Helium Ion Microscopy

〇Yukinori Morita¹, Kensuke Inoue², Ryuichi Sugie², Shinichi Ogawa¹ (1.AIST, 2.TRC)

Helium ion microscope,Silicon on insulator,nanopore

本研究では、極薄化したシリコンナノシートに対して収束Heイオンビーム照射を行い、リソグラフィ技術を用いずnmレベルの位置制御したナノ加工を目指す。今回、きわめて均一に薄膜化したシリコン層を用いることで、二次元材料と同様に、位置制御されたナノポアアレイ形成の可能性を検証した。