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5:15 PM - 5:30 PM JST(8:15 AM - 8:30 AM UTC)

[23p-21C-13]3.5 x 3.5 μm² GaN blue micro-LEDs with negligible sidewall surface nonradiative recombination

〇Xue-Lun Wang^1,2, Xixi Zhao¹, Tokio Takahashi¹, Daisuke Ohori³, Seiji Samukawa^4,3 (1.AIST, 2.IMaSS, Nagoya Univ., 3.AIMR, Tohoku Univ., 4.NYCU)

micro-LED

従来のプラズマエッチングの代わりに半導体材料の超低損傷加工が可能な中性粒子ビームエッチング技術を用いることによって、端面非発光再結合による発光効率低下の全くない3.5 × 3.5 μm² GaN青色マイクロLEDの作製に成功した。