講演情報
[23p-21C-13]端面非発光再結合による発光効率低下のない3.5 x 3.5 μm2 GaN青色マイクロLED
〇王 学論1,2、趙 茜茜1、高橋 言緒1、大堀 大介3、寒川 誠二4,3 (1.産総研、2.名大IMaSS、3.東北大流体研、4.台湾陽明交通大)
キーワード：
マイクロLED
従来のプラズマエッチングの代わりに半導体材料の超低損傷加工が可能な中性粒子ビームエッチング技術を用いることによって、端面非発光再結合による発光効率低下の全くない3.5 × 3.5 μm2 GaN青色マイクロLEDの作製に成功した。