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3:15 PM - 3:30 PM JST(6:15 AM - 6:30 AM UTC)

[23p-21C-6][The 55th Young Scientist Presentation Award Speech] HVPE growth of heavily Sn-doped GaN layers for fabricating low resistivity n-type GaN substrates

〇Kansuke Hamasaki¹, Kazuki Ohnishi², Shugo Nitta², Naoki Fujimoto², Hirotaka Watanabe², Yoshio Honda^2,3,4, Hiroshi Amano^2,3,4 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ., 3.D center, Nagoya Univ., 4.IAR, Nagoya Univ.)

Keywords:

HVPE,GaN,Low resistivity

GaN縦型パワーデバイスのオン抵抗低減のため, GaN基板の低抵抗化が求められる. 低抵抗n型GaN基板の実現に向け, 我々はn型ドーパントとしてSnに注目した. 現在, バルク成長手法を用いてSn添加GaNを成長させた報告はない. 本研究では, 主流の基板作製手法であるHVPE法を用いた低抵抗密度Sn添加GaNの成長を実現した報告する.

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