講演情報
[23p-21C-6][第55回講演奨励賞受賞記念講演] 低抵抗n型GaN基板作製に向けた高濃度Sn添加GaNのHVPE成長
〇濵﨑 乾輔1、大西 一生2、新田 州吾2、藤元 直樹2、渡邉 浩崇2、本田 善央2,3,4、天野 浩2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大Dセンター、4.名大IAR)
キーワード：
ハライド気相成長,窒化ガリウム,低抵抗
GaN縦型パワーデバイスのオン抵抗低減のため, GaN基板の低抵抗化が求められる. 低抵抗n型GaN基板の実現に向け, 我々はn型ドーパントとしてSnに注目した. 現在, バルク成長手法を用いてSn添加GaNを成長させた報告はない. 本研究では, 主流の基板作製手法であるHVPE法を用いた低抵抗密度Sn添加GaNの成長を実現した報告する.