[23p-21C-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

3:30 PM - 3:45 PM JST(6:30 AM - 6:45 AM UTC)

[23p-21C-7] [The 55th Young Scientist Presentation Award Speech] Microcavity SHG Device with Ultrashort Laser Pulses

〇Nambu Tomoaki¹, Tomohiro Nakahara², Yuma Yasuda², Yasufumi Fujiwara², Masayoshi Tonouti¹, Masahiro Uemukai², Tomoyuki Tanikawa², Ryuji Katayama² (1.ILE, Osaka Univ., 2.Osaka Univ.)

Keywords:

GaN,SHG,microcavity

窒化物半導体であるGaNやAlN、ホウ酸系結晶であるSrB₄O₇（SBO）は強い光学非線形性と光損傷耐性を有する波長変換デバイスへの応用に適した材料である。我々は、極性反転構造が不要な微小共振器型第二高調波発生（SHG）デバイスを提案し、c面GaNを用いた青色SHGや、SBOを用いた深紫外SHGを実証してきた。本研究では、a面GaN微小共振器による青色SHGおよびSBO微小共振器型による真空紫外SHGについて報告する。