講演情報
[23p-21C-7][第55回講演奨励賞受賞記念講演] 超短パルスレーザ励起微小共振器型第二高調波発生デバイス
〇南部 誠明1、中原 智裕2、安田 悠馬2、藤原 康文2、斗内 政吉1、上向井 正裕2、谷川 智之2、片山 竜二2 (1.阪大レーザー研、2.阪大院工)
キーワード：
GaN,第二高調波発生,微小共振器
窒化物半導体であるGaNやAlN、ホウ酸系結晶であるSrB4O7（SBO）は強い光学非線形性と光損傷耐性を有する波長変換デバイスへの応用に適した材料である。我々は、極性反転構造が不要な微小共振器型第二高調波発生（SHG）デバイスを提案し、c面GaNを用いた青色SHGや、SBOを用いた深紫外SHGを実証してきた。本研究では、a面GaN微小共振器による青色SHGおよびSBO微小共振器型による真空紫外SHGについて報告する。