[23p-31A-1~15] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)

[23p-31A-3] Critical layer thickness of a-(AlGa)₂O₃ grown on sapphire by molecular beam epitaxy

〇Hironori Okumura¹ (1.Univ. of Tsukuba)

Keywords:

Sapphire,MBE,critical thickness

一般的に、バンドギャップエネルギー(E_g)の大きい固体材料は、高温高耐圧に優れる。低価格かつ大面積試料が入手可能なa-Al₂O₃(サファイア、E_g~9 eV)は有力材料の一つであるが、絶縁体として知られている。我々は、M面a-Al₂O₃基板を用いて、MBE法による高品質高Al組成a-(AlGa)₂O₃成長を行ってきた。本研究では、a-(AlGa)₂O₃層の臨界膜厚を調べた。